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媒体报道8.3亿美元！英飞凌完成收购氮化镓系统公司 (GaN Systems)
随着5G技术的普及和应用，氮化镓在射频器件、光电子器件等领域的需求不断增加。氮化镓器件具有高频率、高功率、低损耗等优点，被广泛应用于无线通信、汽车电子、工业自动化等领域。同时，氮化镓材料的价格也在逐渐下降，使得其在市场上更具竞争力。
标签: GaN Systems 英飞凌
发布时间: 2023年10月25日 14:03 阅读量: 846
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产品介绍GaN Systems 基于IMS的第三代评估平台产品介绍
GaN系统基于第三代绝缘金属衬底（IMS）的评估平台是半桥和全桥变体中可用的高功率组件。半桥评估组件有120A/13mΩ和60A/25mΩ两种变体。这些半桥平台的垂直安装特性有利于5kW以上的高功率系统。垂直板可以很容易地适应水平安装，并可以连接到系统散热器。
发布时间: 2023年9月13日 13:35 阅读量: 563
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产品介绍GaN Systems GS-EVB-HB-66516T-RN评估套件产品介绍
GaN Systems GS-EVB-HB-66516T-RN评估套件由两个GaN Systems 650V GaN增强模式HEMT（E-HEMT）组成。该套件还包括所有必要的电路，包括半桥门驱动器、隔离电源和可选散热器，以形成功能性半桥电源级。它允许在任何半桥拓扑中轻松评估GaN E-HEMT性能。这是通过通用主板（P/N:GS665MB-EVB）或其他系统设计实现的。GS-EVB-HB-665
发布时间: 2023年7月18日 10:00 阅读量: 705
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产品介绍GaN Systems GS-EVM-DRG-100V7R-GS2评估模块产品介绍
GaN Systems GS-EVM-DRG-100V7R-GS2评估模块是任何需要高效转换和高功率密度的DC-DC拓扑的完整输入功率级。该模块有一个集成模块Ω 半桥功率级。它封装在10mm x 7.8mm2 SMT表面贴装技术包中。该模块包括两个GS61008芯片（100V 7mW E型GaN）。
发布时间: 2023年7月5日 14:28 阅读量: 445
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产品介绍GS-EVM-3PH-650V300A-SM1评估板产品介绍
GaN系统GS-EVM-3PH-650V300A-SM1评估模块是一个650V 300A三相GaN电源模块。它旨在满足汽车和工业市场的高鲁棒性、高功率密度和低成本要求。
发布时间: 2023年6月16日 11:00 阅读量: 634
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产品介绍GS-EVB-IMS2-XX低功耗IMS2评估板产品介绍
GaN Systems GS-EVB-IMS2-XX低功率IMS2评估平台用于评估GaNPX®底侧冷却电子HEMT在低功率应用中的电气和热性能优势。优化的热和电气设计为实现低成本、高性能设计提供了极好的参考。
发布时间: 2023年5月19日 10:15 阅读量: 633
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产品介绍GaN Systems GSWP300W-EVBPA评估板产品介绍
GaN Systems GSWP300W-EVBPA评估板有助于对6.78MHz、EF2级、GS66508B E-HEMTs功率放大器进行广泛评估。GS66508Bs与集成高速pSemi PE29102门驱动器一起使用，采用推挽配置。
发布时间: 2023年4月26日 09:48 阅读量: 624
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产品介绍GaN Systems GS-EVB-HB-61008P-ON评估板产品介绍
GaN Systems GS-EVB-HB-61008P-ON评估板旨在取代现有半桥或全桥电源中使用的驱动器和功率MOSFET。Eval板由NCP51810栅极驱动解决方案组成，在全功能半桥中有两个GS61008P GaN E型晶体管。GS-EVB-HB-61008P-ON评估板提供了高效、可靠地驱动中压图腾柱配置中使用的两个氮化镓电源开关所需的性能、简单性和最少数量的组件。
发布时间: 2023年4月19日 10:12 阅读量: 482
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产品介绍GaN Systems GS66508B-EVBDB1子板产品介绍
GaN Systems GS66508B-EVBDB1子板是一种GaN E-HEMT载体板，设计用于GS665MB-EVB 650V通用主板。GS66508B-EVBDB1子板包括两个GaN系统GS66508T 650V GaN增强模式HEMT（E-HEMT）和所有必要的电路，包括模拟设备公司ADuM4121高压隔离栅驱动器和可选散热器。开发人员可以轻松评估GS66508B增强型GaN晶体管在任何
发布时间: 2023年4月17日 10:35 阅读量: 742
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行业新闻罗姆ROHM确立可以更大程度激发GaN器件性能的“超高速驱动控制”IC 技术
全球知名半导体制造商罗姆ROHM（总部位于日本京都市）确立了一项超高速驱动控制IC技术，利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。
标签: 罗姆 ROHM GaN Systems
发布时间: 2023年3月8日 15:46 阅读量: 764
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